目前大功率led 特别是白光led已产业化并推向市场,并向普通照明市场迈进。由于led 芯片输入功率的不断提高,对这些功率型led 的封装技术提出了更高的要求。
功率型led 封装技术主要应满足以下二点要求:一是封装结构要有高的取光效率,其二是热阻要尽可能低。对于大工作电流的功率型led芯片,低热阻、散热良好及低应力的新的封装结构是功率型led 器件的技术关键。锡膏一般用于金属之间焊接,其导热系数为67w/m·k左右,远大于现在通用的导电银胶。因此,在led晶圆封装等领域超细锡膏可代替现有的导电银胶和导热胶等封装材料,从而实现更好的导热效果,且大大降低封装成本。
深圳华茂翔电子通过长时间的研发和测试,已经开发出了具有高触变性、低粘度的led固晶用锡膏。该锡膏不仅热导率高、电阻小、传热快,能满足led芯片的散热需求,而且固晶质量稳定,焊接机械强度高,能有效保证固晶的可靠性。
其具体特性参数如下:
热导率:固晶锡膏主要合金snagcu的导热系数为67w/m·k左右,电阻小、传热快,能满足led芯片的散热需求(通用的银胶导热系数一般为1.5-25w/m·k)。晶片尺寸:锡膏粉径为10-25μm(5-6#粉),能有效满足5 mil-75 mil(0.127-1.91mm)范围大功率晶片的焊接。固晶流程:备胶--取胶和点胶--粘晶--共晶焊接。固晶机点胶周期可达240ms,粘晶周期150ms,固晶速度快,产率高。
焊接性能:可耐长时间重复点胶,焊点饱满光亮,空洞率小于5%,固晶可靠性好,质量稳定。
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